BSZ018NE2LSATMA1 vs IPD90P04P405ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSZ018NE2LSATMA1 제조: Infineon 및 IPD90P04P405ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSZ018NE2LSATMA1 | IPD90P04P405ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.31 | $0.69 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (TA) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 40 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 69 W | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | -90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | — | 4.7 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| 핀 수 | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Process Technology | — | OptiMOS-P2 (trench + field plate) |