BSZ180P03NS3EGATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ180P03NS3EGATMA1 por Infineon y IPD380P06NMATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ180P03NS3EGATMA1 IPD380P06NMATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,45 $0,49
Tipo de transistor P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS P3 OptiMOS P-channel trench
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) - Ta 9 A —
Continuous Drain Current (ID) - Tc 39.5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance (RDS(on)) max 18 mΩ @ VGS = -10 V —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (QG) total [DATA_NEEDED: QG total] —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 40 W 125 W
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C (junction)
Encapsulado PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1
Lead-Free Yes Yes
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 60 V
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — 35 A
Gate Drive — Logic-level compatible
Avalanche Rated — Yes (per manufacturer datasheet)
Target Applications — Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch
Automotive Qualified — Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade]

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