BSZ180P03NS3EGATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ180P03NS3EGATMA1 par Infineon et IPD380P06NMATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ180P03NS3EGATMA1 IPD380P06NMATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $0,49
Type de transistor P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS P3 OptiMOS P-channel trench
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) - Ta 9 A —
Continuous Drain Current (ID) - Tc 39.5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance (RDS(on)) max 18 mΩ @ VGS = -10 V —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (QG) total [DATA_NEEDED: QG total] —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 40 W 125 W
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C (junction)
Boîtier PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1
Lead-Free Yes Yes
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 60 V
Courant de drain continu (TC=25°C) — 35 A
Gate Drive — Logic-level compatible
Avalanche Rated — Yes (per manufacturer datasheet)
Target Applications — Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch
Automotive Qualified — Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis