BSZ180P03NS3EGATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ180P03NS3EGATMA1 por Infineon e IPD380P06NMATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ180P03NS3EGATMA1 IPD380P06NMATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,45 $0,49
Tipo de transistor P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS P3 OptiMOS P-channel trench
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) - Ta 9 A —
Continuous Drain Current (ID) - Tc 39.5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance (RDS(on)) max 18 mΩ @ VGS = -10 V —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (QG) total [DATA_NEEDED: QG total] —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 40 W 125 W
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C (junction)
Encapsulamento PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1
Lead-Free Yes Yes
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 60 V
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) — 35 A
Gate Drive — Logic-level compatible
Avalanche Rated — Yes (per manufacturer datasheet)
Target Applications — Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch
Automotive Qualified — Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade]

Fichas técnicas e recursos

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