BTS3110NHUMA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3110NHUMA1 por Infineon y BSP316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3110NHUMA1 BSP316PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,21
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Family Classic HITFET —
Number of Channels 1 —
Switch Type N-Channel (1:1) —
Maximum Drain-to-Source Voltage (VDS max) 42 V —
Continuous Drain Current 1.4 A —
On-Resistance (RDS(on) typ) 200 mOhm —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS (3.3 V and 5 V) —
On-State Input Voltage (VIH) [DATA_NEEDED: VIH value] —
Off-State Input Voltage (VIL) [DATA_NEEDED: VIL value] —
Status Flag Output Open-drain diagnostic output —
Protection Features ESD, thermal shutdown, over-load current limit —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C -55 C to +150 C (junction)
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes - 12 V automotive applications —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Número de pines — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Technology — SIPMOS (P-channel MOSFET)
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

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