BTS3110NHUMA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTS3110NHUMA1 par Infineon et BSP316PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTS3110NHUMA1 BSP316PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,21
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Family Classic HITFET —
Number of Channels 1 —
Switch Type N-Channel (1:1) —
Maximum Drain-to-Source Voltage (VDS max) 42 V —
Continuous Drain Current 1.4 A —
On-Resistance (RDS(on) typ) 200 mOhm —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS (3.3 V and 5 V) —
On-State Input Voltage (VIH) [DATA_NEEDED: VIH value] —
Off-State Input Voltage (VIL) [DATA_NEEDED: VIL value] —
Status Flag Output Open-drain diagnostic output —
Protection Features ESD, thermal shutdown, over-load current limit —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C -55 C to +150 C (junction)
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes - 12 V automotive applications —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Nombre de broches — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Technology — SIPMOS (P-channel MOSFET)
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis