BTS3110NHUMA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BTS3110NHUMA1 por Infineon e BSP316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BTS3110NHUMA1 BSP316PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,21
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Family Classic HITFET —
Number of Channels 1 —
Switch Type N-Channel (1:1) —
Maximum Drain-to-Source Voltage (VDS max) 42 V —
Continuous Drain Current 1.4 A —
On-Resistance (RDS(on) typ) 200 mOhm —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS (3.3 V and 5 V) —
On-State Input Voltage (VIH) [DATA_NEEDED: VIH value] —
Off-State Input Voltage (VIL) [DATA_NEEDED: VIL value] —
Status Flag Output Open-drain diagnostic output —
Protection Features ESD, thermal shutdown, over-load current limit —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +150 C -55 C to +150 C (junction)
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Status RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes - 12 V automotive applications —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Número de pinos — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Technology — SIPMOS (P-channel MOSFET)
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Fichas técnicas e recursos

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