BTS3110NHUMA1 vs BSP316PH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BTS3110NHUMA1 제조: Infineon 및 BSP316PH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BTS3110NHUMA1 BSP316PH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $0.21
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Family Classic HITFET —
Number of Channels 1 —
Switch Type N-Channel (1:1) —
Maximum Drain-to-Source Voltage (VDS max) 42 V —
Continuous Drain Current 1.4 A —
On-Resistance (RDS(on) typ) 200 mOhm —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS (3.3 V and 5 V) —
On-State Input Voltage (VIH) [DATA_NEEDED: VIH value] —
Off-State Input Voltage (VIL) [DATA_NEEDED: VIL value] —
Status Flag Output Open-drain diagnostic output —
Protection Features ESD, thermal shutdown, over-load current limit —
동작 온도 범위 -40 C to +150 C -55 C to +150 C (junction)
패키지 PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS 상태 Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes - 12 V automotive applications —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
핀 수 — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Technology — SIPMOS (P-channel MOSFET)
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

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