DMN3190LDW-7 vs FDMC89521L Comparación

Comparación detallada lado a lado de DMN3190LDW-7 por Diodes Incorporated y FDMC89521L por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro DMN3190LDW-7 FDMC89521L
Marca Diodes Incorporated onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,10 $0,52
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode 2 × N-Channel (Dual)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A —
Power Dissipation (PD) 320 mW —
Encapsulado SOT-363 (SC-70-6) 6-pin 8-Power33 (MLP-8 / Power 33, 3 mm × 3 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains Dual independent drain-source pairs
Technology Silicon N-Channel MOSFET POWERTRENCH shielded-gate trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
Nivel MSL 1 (unlimited) 1 (per onsemi product page)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — onsemi (Fairchild Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C — 8.2 A
Continuous Drain Current (Id) @ TC=25C — [DATA_NEEDED: TC-rated Id]
On-Resistance Rds(on) @ Vgs=10V — 17 mΩ
Gate-Source Voltage (Vgs) — ±20 V
Power Dissipation (TA=25C) — 1.9 W
Power Dissipation (TC=25C) — 16 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (Tj)
Body Diode — Integrated N-channel body diode

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