DMN3190LDW-7 vs FDMC89521L Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de DMN3190LDW-7 par Diodes Incorporated et FDMC89521L par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre DMN3190LDW-7 FDMC89521L
Marque Diodes Incorporated onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,10 $0,52
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode 2 × N-Channel (Dual)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A —
Power Dissipation (PD) 320 mW —
Boîtier SOT-363 (SC-70-6) 6-pin 8-Power33 (MLP-8 / Power 33, 3 mm × 3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains Dual independent drain-source pairs
Technology Silicon N-Channel MOSFET POWERTRENCH shielded-gate trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
Niveau MSL 1 (unlimited) 1 (per onsemi product page)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — onsemi (Fairchild Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C — 8.2 A
Continuous Drain Current (Id) @ TC=25C — [DATA_NEEDED: TC-rated Id]
On-Resistance Rds(on) @ Vgs=10V — 17 mΩ
Gate-Source Voltage (Vgs) — ±20 V
Power Dissipation (TA=25C) — 1.9 W
Power Dissipation (TC=25C) — 16 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (Tj)
Body Diode — Integrated N-channel body diode

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