DMN3190LDW-7 vs FDMC89521L 비교

다음의 상세 나란히 비교: DMN3190LDW-7 제조: Diodes Incorporated 및 FDMC89521L 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 DMN3190LDW-7 FDMC89521L
브랜드 Diodes Incorporated onsemi
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.10 $0.52
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode 2 × N-Channel (Dual)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A —
Power Dissipation (PD) 320 mW —
패키지 SOT-363 (SC-70-6) 6-pin 8-Power33 (MLP-8 / Power 33, 3 mm × 3 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains Dual independent drain-source pairs
Technology Silicon N-Channel MOSFET POWERTRENCH shielded-gate trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
MSL 레벨 1 (unlimited) 1 (per onsemi product page)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — onsemi (Fairchild Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C — 8.2 A
Continuous Drain Current (Id) @ TC=25C — [DATA_NEEDED: TC-rated Id]
On-Resistance Rds(on) @ Vgs=10V — 17 mΩ
Gate-Source Voltage (Vgs) — ±20 V
Power Dissipation (TA=25C) — 1.9 W
Power Dissipation (TC=25C) — 16 W
동작 온도 범위 — -55C to +150C (Tj)
Body Diode — Integrated N-channel body diode

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청