FDD8880 vs FDD8896 Comparación

Comparación detallada lado a lado de FDD8880 por onsemi y FDD8896 por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ Última compra

Comparación de especificaciones

Parámetro FDD8880 FDD8896
Marca onsemi onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Última compra Fin de vida
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,62
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 13 A (Ta), 58 A (Tc) —
On-Resistance (rDS(on)) 9 mOhm max —
Total Power Dissipation (PD) 55 W (Tc) —
Technology PowerTrench PowerTrench (trench MOSFET)
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET Single FET
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: gate charge] [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Threshold Voltage (VGS th) [DATA_NEEDED: threshold voltage] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Estado del ciclo de vida Last Shipments —
Tipo de transistor — N-Channel PowerTrench MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 94 A
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) — 5.7 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 80 W
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — [DATA_NEEDED: Vgs Max]
Recuento de pines — 3
Typical Application — DC/DC converters, synchronous PWM controllers
Manufacturer — Fairchild Semiconductor (now onsemi)
Packing — Tape & Reel (T/R)

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