FDD8880 vs FDD8896 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FDD8880 por onsemi e FDD8896 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

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FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ Última compra

Comparação de especificações

Parâmetro FDD8880 FDD8896
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Última compra Fim de vida
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,62
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 13 A (Ta), 58 A (Tc) —
On-Resistance (rDS(on)) 9 mOhm max —
Total Power Dissipation (PD) 55 W (Tc) —
Technology PowerTrench PowerTrench (trench MOSFET)
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET Single FET
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: gate charge] [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Threshold Voltage (VGS th) [DATA_NEEDED: threshold voltage] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Status do ciclo de vida Last Shipments —
Tipo de transistor — N-Channel PowerTrench MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 94 A
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) — 5.7 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 80 W
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — [DATA_NEEDED: Vgs Max]
Contagem de pinos — 3
Typical Application — DC/DC converters, synchronous PWM controllers
Manufacturer — Fairchild Semiconductor (now onsemi)
Packing — Tape & Reel (T/R)

Fichas técnicas e recursos

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