FDD8880 vs FDD8896 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FDD8880 par onsemi et FDD8896 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

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FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ Dernier achat

Comparaison des spécifications

Paramètre FDD8880 FDD8896
Marque onsemi onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Dernier achat Fin de vie
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,62
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 13 A (Ta), 58 A (Tc) —
On-Resistance (rDS(on)) 9 mOhm max —
Total Power Dissipation (PD) 55 W (Tc) —
Technology PowerTrench PowerTrench (trench MOSFET)
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET Single FET
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: gate charge] [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Threshold Voltage (VGS th) [DATA_NEEDED: threshold voltage] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Statut du cycle de vie Last Shipments —
Type de transistor — N-Channel PowerTrench MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 94 A
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) — 5.7 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 80 W
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — [DATA_NEEDED: Vgs Max]
Nombre de broches — 3
Typical Application — DC/DC converters, synchronous PWM controllers
Manufacturer — Fairchild Semiconductor (now onsemi)
Packing — Tape & Reel (T/R)

Fiches techniques et ressources

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