H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G6NBJR-VKC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G6NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $12,96 | $2,40 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | 4 Gb |
| Memory Organization | 256M x 16 | 512M x8 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Operating Current | 38 mA (typical, per distributor data) | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Body Size | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration; write leveling | — |
| Protection Functions | Asynchronous reset; CRC; data mask | — |
| Refresh | Auto self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Packaging | Tray | Tray |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Estado del ciclo de vida | — | Active |