H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G6NBJR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN4G8NBJR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G6NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $12.96 | $2.40 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gb |
| Memory Organization | 256M x 16 | 512M x8 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Operating Current | 38 mA (typical, per distributor data) | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| 동작 온도 | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Body Size | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration; write leveling | — |
| Protection Functions | Asynchronous reset; CRC; data mask | — |
| Refresh | Auto self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Packaging | Tray | Tray |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| 수명 주기 상태 | — | Active |