H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-VKC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G6NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $12,96 | $2,40 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 4 Gb |
| Memory Organization | 256M x 16 | 512M x8 |
| Débit de données | 2666 Mbps | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Operating Current | 38 mA (typical, per distributor data) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Body Size | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration; write leveling | — |
| Protection Functions | Asynchronous reset; CRC; data mask | — |
| Refresh | Auto self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Packaging | Tray | Tray |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Statut du cycle de vie | — | Active |