H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKI Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-VKI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-PBC | H5AN4G8NBJR-VKI |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,20 | $1,98 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tipo de interfaz | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | V (2666) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Density | — | 4 Gb |
| Velocidad de datos | — | 2666 Mbps |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| I/O Voltage | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Temperature Grade | — | Industrial (I suffix) |
| Architecture | — | CMOS, 8n prefetch, bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| DBI Support | — | Yes (Data Bus Inversion / DM) |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Estado RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |