H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix e H5AN4G8NBJR-VKI por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-VKI
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,20 $1,98
Memory Density 4 Gbit —
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tipo de interface Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC V (2666)
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Encapsulamento 78-ball FBGA FBGA-78
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) —
Lead Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Density — 4 Gb
Taxa de dados — 2666 Mbps
Tensão de alimentação — 1.2 V
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Fichas técnicas e recursos

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