H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKI 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-PBC 제조: SK hynix 및 H5AN4G8NBJR-VKI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G8NBJR-PBC | H5AN4G8NBJR-VKI |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.20 | $1.98 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 인터페이스 유형 | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | V (2666) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Density | — | 4 Gb |
| 데이터 속도 | — | 2666 Mbps |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| I/O Voltage | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Temperature Grade | — | Industrial (I suffix) |
| Architecture | — | CMOS, 8n prefetch, bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| DBI Support | — | Yes (Data Bus Inversion / DM) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |