H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-VKI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-PBC | H5AN4G8NBJR-VKI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,20 | $1,98 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Type d'interface | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | V (2666) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Density | — | 4 Gb |
| Débit de données | — | 2666 Mbps |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| I/O Voltage | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Temperature Grade | — | Industrial (I suffix) |
| Architecture | — | CMOS, 8n prefetch, bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| DBI Support | — | Yes (Data Bus Inversion / DM) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |