H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-PBC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-VKI
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,20 $1,98
Memory Density 4 Gbit —
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Тип интерфейса Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC V (2666)
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Корпус 78-ball FBGA FBGA-78
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) —
Lead Free Yes —
Без галогенов Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Density — 4 Gb
Скорость передачи данных — 2666 Mbps
Напряжение питания — 1.2 V
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену