H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A4G085WD-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix y K4A4G085WD-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,18 | $2,05 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Encapsulado | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| Estado RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |