H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A4G085WD-BCTD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHC от SK hynix и K4A4G085WD-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,18 | $2,05 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Организация памяти | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Интерфейс | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Корпус | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| Статус RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |