H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A4G085WD-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix et K4A4G085WD-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,18 | $2,05 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2400 Mbps (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Boîtier | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| Statut RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |