H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A4G085WD-BCTD 比較
詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-UHC メーカー: SK hynix および K4A4G085WD-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.18 | $2.05 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| データレート | 2400 Mbps (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| インターフェース | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| パッケージ | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| RoHS ステータス | Compliant (Rohs Code: Yes) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |