H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-RDC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-VKI por SK hynix y H5AN4G8NBJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,98 | $2,95 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | — |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | On-Die Termination (ODT) |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Auto-refresh and self-refresh |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| Interfaz | — | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |