H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-VKI par SK hynix et H5AN4G8NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,98 | $2,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2666 Mbps | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Boîtier | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | — |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | On-Die Termination (ODT) |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Auto-refresh and self-refresh |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| Interface | — | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |