H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-RDC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-VKI от SK hynix и H5AN4G8NBJR-RDC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-RDC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,98 $2,95
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Скорость передачи данных 2666 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Напряжение питания 1.2 V [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
Корпус FBGA-78 78-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) —
Temperature Grade Industrial (I suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) On-Die Termination (ODT)
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] Auto-refresh and self-refresh
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Интерфейс — DDR4 (Double Data Rate IV)
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену