H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-VKI メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.98 $2.95
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
データレート 2666 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
電源電圧 1.2 V [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
パッケージ FBGA-78 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) —
Temperature Grade Industrial (I suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) On-Die Termination (ODT)
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] Auto-refresh and self-refresh
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
インターフェース — DDR4 (Double Data Rate IV)
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

データシート&リソース

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