H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-PBC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix y H5AN8G6NAFR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NAFR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,74 | $3,55 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Velocidad de datos | 2400 MT/s | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | TFBGA-96 (rectangular) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | Auto / Self Refresh |
| VDD Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V +0.25/-0.125 V |
| Tipo de interfaz | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Speed Bins Supported | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) |
| DLL | — | DLL ON mode for speed bin operation |
| Clock | — | Differential clock (CK/CK#) |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Estado RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Composition | — | CMOS |