H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NAFR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN8G6NAFR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.74 $3.55
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
電源電圧 1.2 V —
データレート 2400 MT/s —
パッケージ FBGA-96 TFBGA-96 (rectangular)
動作温度 0°C to +85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Number of Terminals 96 96
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
RoHS Compliant Yes —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh Auto / Self Refresh
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
インターフェースタイプ — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
実装タイプ — Surface Mount
RoHS ステータス — Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Composition — CMOS

データシート&リソース

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