H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NAFR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,74 | $3,55 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Débit de données | 2400 MT/s | — |
| Boîtier | FBGA-96 | TFBGA-96 (rectangular) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Refresh | Auto self-refresh | Auto / Self Refresh |
| VDD Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V +0.25/-0.125 V |
| Type d'interface | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Speed Bins Supported | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) |
| DLL | — | DLL ON mode for speed bin operation |
| Clock | — | Differential clock (CK/CK#) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Statut RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Composition | — | CMOS |