H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-PBC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NAFR-UHC от SK hynix и H5AN8G6NAFR-PBC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-PBC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,74 $3,55
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Напряжение питания 1.2 V —
Скорость передачи данных 2400 MT/s —
Корпус FBGA-96 TFBGA-96 (rectangular)
Рабочая температура 0°C to +85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Number of Terminals 96 96
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
RoHS Compliant Yes —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh Auto / Self Refresh
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
Тип интерфейса — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
Тип монтажа — Surface Mount
Статус RoHS — Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Composition — CMOS

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену