H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NDJR Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-XNC por SK hynix y H5AN8G8NDJR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-XNC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $30,69 | $24,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 1 Gb x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Tensión de alimentación | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0 C to +85 C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Interfaz | DDR4 (8-bit data interface) | — |
| Architecture | Bank-group based DDR4 | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| Calibration | ZQ calibration, write leveling | — |
| Error Handling | CRC function | — |
| Reset | Asynchronous reset | — |
| Data Mask | Data mask function | — |
| Current - Operating | 39 mA | — |
| Current - Standby | 30 mA | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| Latencia CAS | — | 22 (typical) |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |