H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NDJR 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-XNC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NDJR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NDJR H5AN8G8NDJR - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | SK hynix

H5AN8G8NDJR - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | SK hynix

H5AN8G8NDJR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NDJR
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $30.69 $24.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
メモリ構成 1 Gb x 8 1G x 8
データレート 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz —
電源電圧 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) —
パッケージ 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm FBGA-78 (7.5x11 mm)
動作温度 0 C to +85 C 0°C to +95°C (Tc)
実装タイプ Surface Mount —
インターフェース DDR4 (8-bit data interface) —
Architecture Bank-group based DDR4 —
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
Calibration ZQ calibration, write leveling —
Error Handling CRC function —
Reset Asynchronous reset —
Data Mask Data mask function —
Current - Operating 39 mA —
Current - Standby 30 mA —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes —
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
VDDQ — 1.2 V
VPP — 2.5 V
CASレイテンシ — 22 (typical)
tRCD — 22 ns
tRP — 22 ns
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
Self-Refresh Current — 30 mA (typical)
Active Standby Current — 60 mA (typical)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼