H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NDJR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NCJR-XNC por SK hynix e H5AN8G8NDJR por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G8NCJR-XNC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $30,69 | $24,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gbit | — |
| Organização da memória | 1 Gb x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Tensão de alimentação | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) | — |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Temperatura de operação | 0 C to +85 C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Interface | DDR4 (8-bit data interface) | — |
| Architecture | Bank-group based DDR4 | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| Calibration | ZQ calibration, write leveling | — |
| Error Handling | CRC function | — |
| Reset | Asynchronous reset | — |
| Data Mask | Data mask function | — |
| Current - Operating | 39 mA | — |
| Current - Standby | 30 mA | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| Latência CAS | — | 22 (typical) |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |