H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-RDC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NBJR-RDC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,60 | $6,45 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 16Gb x16 | — |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2 GB) |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps (speed grade -RDC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interfaz | Synchronous, double data rate | — |
| Clocking | Fully synchronous to both clock edges | — |
| Encapsulado | FBGA (Ball Grid Array), surface mount | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Application | Main memory | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| On-Die Termination (ODT) | Supported (DDR4 feature) | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |
| Organización de memoria | — | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |