H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-PBC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5ANAG6NBJR-RDC от SK hynix и H5ANAG6NBJR-PBC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5ANAG6NBJR-RDC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $9,60 | $6,45 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 16Gb x16 | — |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2 GB) |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps (speed grade -RDC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Интерфейс | Synchronous, double data rate | — |
| Clocking | Fully synchronous to both clock edges | — |
| Корпус | FBGA (Ball Grid Array), surface mount | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Application | Main memory | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| On-Die Termination (ODT) | Supported (DDR4 feature) | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |
| Организация памяти | — | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |