H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NBJR-RDC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NBJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NBJR-RDC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.60 | $6.45 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 16Gb x16 | — |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2 GB) |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (speed grade -RDC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | Synchronous, double data rate | — |
| Clocking | Fully synchronous to both clock edges | — |
| 패키지 | FBGA (Ball Grid Array), surface mount | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Application | Main memory | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| On-Die Termination (ODT) | Supported (DDR4 feature) | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |
| 메모리 구성 | — | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |