H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NBJR-RDC メーカー: SK hynix および H5ANAG6NBJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.60 $6.45
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 16Gb x16 —
Density 16 Gb 16 Gb (2 GB)
データレート 2666 Mbps (speed grade -RDC) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
インターフェース Synchronous, double data rate —
Clocking Fully synchronous to both clock edges —
パッケージ FBGA (Ball Grid Array), surface mount FBGA-96
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Application Main memory —
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
On-Die Termination (ODT) Supported (DDR4 feature) —
Bank Group Architecture DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
電源電圧 — 1.2 V
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]
メモリ構成 — [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]

データシート&リソース

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