H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-VKC por SK hynix y H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG6NAMR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $15,00 $4,50
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) 16 Gbit (2 GB)
Organización de memoria [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] 1G x 16
Velocidad de datos 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) —
Tensión de alimentación 1.2 V (DDR4 standard) —
Interfaz DDR4, SSTL-12 —
Encapsulado FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96 (PBGA96)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Temperatura de funcionamiento -40C to +95C (family grade reference) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Tipo de interfaz — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Estado del ciclo de vida — Active production

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