H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NAMR-UHC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NBJR-VKC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NAMR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NBJR-VKC | H5ANAG6NAMR-UHC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $15.00 | $4.50 |
| Manufacturer | SK Hynix | — |
| Part Number | H5ANAG6NBJR-VKC | — |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16Gb (2GB) | 16 Gbit (2 GB) |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] | 1G x 16 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V (DDR4 standard) | — |
| 인터페이스 | DDR4, SSTL-12 | — |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 (PBGA96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder ball) |
| 동작 온도 | -40C to +95C (family grade reference) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed Grade / Data Rate | — | DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Architecture | — | CMOS DDR4 with bank groups |
| Power Class | — | Normal Power |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel, synchronous, double data rate |
| Available Speed Bins (family) | — | PB / RD / TF / UH / VK |
| Application Class | — | Main memory, embedded, industrial |
| 수명 주기 상태 | — | Active production |