H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-VKC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs DRAM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $15,00 $8,09
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) —
Organización de memoria [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] 256M x 16
Velocidad de datos 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) —
Tensión de alimentación 1.2 V (DDR4 standard) —
Interfaz DDR4, SSTL-12 DDR4 (CMOS)
Encapsulado FBGA-96 (PBGA96) PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA)
Tipo de montaje Surface Mount —
Temperatura de funcionamiento -40C to +95C (family grade reference) -40C to +95C
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Supported
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Supported
Write Leveling Yes Supported
CRC Function Yes —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS Compliant
Density — 4 Gb
Package Dimensions — 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96)
Access Mode — Multi Bank, Page Burst
Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask — Supported (DM function)
On-Chip Termination — Dynamic ODT
CRC — Supported
Supply Voltage Class — DDR4 (1.2 V class)
REACH Compliance — Compliant
ECCN — EAR99
HTS Code — 8542.32.00.36
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Max Data Rate — [DATA_NEEDED: Max Data Rate]

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