H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-UHC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NBJR-VKC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NBJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NBJR-VKC | H5ANAG6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $15.00 | $8.09 |
| Manufacturer | SK Hynix | — |
| Part Number | H5ANAG6NBJR-VKC | — |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16Gb (2GB) | — |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V (DDR4 standard) | — |
| 인터페이스 | DDR4, SSTL-12 | DDR4 (CMOS) |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA96) | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | -40C to +95C (family grade reference) | -40C to +95C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| Write Leveling | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS Compliant |
| Density | — | 4 Gb |
| Package Dimensions | — | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) |
| Access Mode | — | Multi Bank, Page Burst |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask | — | Supported (DM function) |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| CRC | — | Supported |
| Supply Voltage Class | — | DDR4 (1.2 V class) |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| HTS Code | — | 8542.32.00.36 |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] |