H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $15,00 $8,09
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) —
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] 256M x 16
Débit de données 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) —
Tension d'alimentation 1.2 V (DDR4 standard) —
Interface DDR4, SSTL-12 DDR4 (CMOS)
Boîtier FBGA-96 (PBGA96) PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA)
Type de montage Surface Mount —
Température de fonctionnement -40C to +95C (family grade reference) -40C to +95C
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Supported
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Supported
Write Leveling Yes Supported
CRC Function Yes —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS Compliant
Density — 4 Gb
Package Dimensions — 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96)
Access Mode — Multi Bank, Page Burst
Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask — Supported (DM function)
On-Chip Termination — Dynamic ODT
CRC — Supported
Supply Voltage Class — DDR4 (1.2 V class)
REACH Compliance — Compliant
ECCN — EAR99
HTS Code — 8542.32.00.36
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Max Data Rate — [DATA_NEEDED: Max Data Rate]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis