H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NBJR-VKC por SK hynix e H5ANAG6NBJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $15,00 $8,09
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) —
Organização da memória [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] 256M x 16
Taxa de dados 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) —
Tensão de alimentação 1.2 V (DDR4 standard) —
Interface DDR4, SSTL-12 DDR4 (CMOS)
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96) PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA)
Tipo de montagem Surface Mount —
Temperatura de operação -40C to +95C (family grade reference) -40C to +95C
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Supported
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Supported
Write Leveling Yes Supported
CRC Function Yes —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS Compliant
Density — 4 Gb
Package Dimensions — 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96)
Access Mode — Multi Bank, Page Burst
Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask — Supported (DM function)
On-Chip Termination — Dynamic ODT
CRC — Supported
Supply Voltage Class — DDR4 (1.2 V class)
REACH Compliance — Compliant
ECCN — EAR99
HTS Code — 8542.32.00.36
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Max Data Rate — [DATA_NEEDED: Max Data Rate]

Fichas técnicas e recursos

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