H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCJR-XN Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-VKC por SK hynix y H5ANAG6NCJR-XN por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NCR-VKC | H5ANAG6NCJR-XN |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $71,20 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16 Gbit | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Interfaz | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Velocidad de datos | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | FBGA-96 (96-ball) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Banks | 16 banks (4 bank groups x 4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Refresh Mode | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology | CMOS | — |
| Application | Main memory (PC / server / embedded) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | Compliant |
| Density | — | 16 Gbit (1G x 16) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Package Width | — | 8 mm |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Maximum Standby Current | — | 0.074 A (per Vyrian listing) |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] |