H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCJR-XN 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCR-VKC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCJR-XN 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NCR-VKC | H5ANAG6NCJR-XN |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $71.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 1G x 16 |
| 인터페이스 | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) |
| 패키지 | 96-ball FBGA | FBGA-96 (96-ball) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Banks | 16 banks (4 bank groups x 4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Refresh Mode | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology | CMOS | — |
| Application | Main memory (PC / server / embedded) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | Compliant |
| Density | — | 16 Gbit (1G x 16) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Package Width | — | 8 mm |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Maximum Standby Current | — | 0.074 A (per Vyrian listing) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] |