H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCJR-XN 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NCR-VKC メーカー: SK hynix および H5ANAG6NCJR-XN メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5ANAG6NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5ANAG6NCR-VKC ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NCJR-XN H5ANAG6NCJR-XN - 16Gb DDR4-3200 SDRAM FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG6NCJR-XN - 16Gb DDR4-3200 SDRAM FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG6NCJR-XN ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCJR-XN
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $71.20
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit —
メモリ構成 2G x 8 1G x 16
インターフェース DDR4 (Double Data Rate 4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
データレート [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] 3200 Mbps/pin (DDR4-3200)
パッケージ 96-ball FBGA FBGA-96 (96-ball)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
動作温度 [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] Compliant
Density — 16 Gbit (1G x 16)
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Package Width — 8 mm
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC (Command/Address) — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — 0.074 A (per Vyrian listing)
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼